投查查配资普冉股份涨超10%，科创芯片设计ETF招商（589390）涨超4%！三问解密存储方向爆发原因

8月17日，科创芯片设计方向午后爆发。截至发稿，科创芯片设计ETF招商（589390）涨4.11%！成分股普冉股份涨超10%，芯原股份涨超7%，盛科通信-U涨超5%，佰维存储、东芯股份、寒武纪涨幅居前。

存储芯片方向全面爆发，业内人士指出，主要基于利基存储“超级涨价周期”的逻辑，现从三个关键问题进行拆解。

第一问：什么是利基存储？为什么突然火了？

利基存储是指非主流、市场容量相对较小的存储芯片品类，主要包括NOR Flash、SLC/MLC NAND和EEPROM。与DRAM、大容量3D NAND等“主流存储”不同，利基存储虽然单个市场体量不大，但广泛存在于工业控制、汽车电子、物联网设备、医疗设备等对可靠性要求极高的场景中。

过去，这个市场由三星、海力士、美光等国际大厂把持。如今，大厂们正在系统性地退出这一领域——全部转向HBM和3D NAND这些高附加值产品，低容量的SLC/MLC NAND、NOR Flash“没人生产了”。

这不是周期性调整，而是永久性的产能出清。TrendForce数据显示，2026年全球MLC NAND产能同比缩减超41.7%，且国际主流厂商均无扩产计划。

第二问：普冉股份为什么业绩暴增19倍？

普冉股份2026年上半年归母净利润约8.25亿元，同比增长约1925%，其中Q2单季净利润约5.74亿元，环比增长约128%。公司表示，受益于全球人工智能算力建设，存储芯片行业供给格局优化，通用存储芯片产品价格维持上涨态势，存储业务实现量价齐升。

普冉股份是NOR Flash全球第五、SLC NAND核心供应商。在海外大厂退出利基市场的同时，AI终端化正在创造增量需求——AI服务器、自动驾驶、工业设备对高可靠性存储的需求刚性增长。供给被永久性挤出，需求不降反增，供需严重错配，价格暴涨。

TrendForce最新预测，2026年下半年SLC NAND合约价格将较上半年调涨120%-170%，且不排除有上修空间。现货市场方面，部分MLC NAND型号价格涨幅已超300%，“只要有产能释出，就立刻被客户抢走，市场缺口难以补足”。

第三问：科创芯片设计ETF的“含储量”如何？

科创芯片设计ETF招商（589390）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，该指数集成电路设计含量100%，是目前A股对芯片设计领域聚焦度最高的指数。

从持仓结构看，存储+算力含量超六成，前十大重仓覆盖佰维存储（权重约10.35%）、海光信息、澜起科技、寒武纪、芯原股份、普冉股份（权重约4.75%）、东芯股份、盛科通信等。普冉股份、佰维存储、东芯股份等存储芯片设计公司直接受益于利基存储涨价周期，澜起科技、海光信息等则卡位算力互联与国产算力底座，形成“存储涨价+算力需求”双主线驱动。

一句话总结：大厂都去“卷”HBM高端市场了，低端的没人生产——结果供不应求、价格暴涨。这就是利基存储的超级周期。普冉股份H1业绩暴增19倍或只是开始，下半年SLC NAND预计再涨120%-170%，业绩有望逐季创新高。

据了解，科创芯片设计ETF招商（589390）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦科创板纯芯片设计龙头，存储+算力含量超六成，前十大重仓覆盖普冉股份、芯原股份、盛科通信、佰维存储、东芯股份、寒武纪、海光信息、澜起科技等。

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